記者近日從位于西安高新區(qū)的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司采訪了解到,三星半導(dǎo)體高端存儲芯片二期項目總投資將超過140億美元。二期項目已于2018年3月開工建設(shè),預(yù)計今年7月份建成,2020年一季度實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　三星(中國)半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基在采訪中說,三星半導(dǎo)體的存儲芯片二期項目分為兩個階段,第一階段投資70億美元,第二階段詳細(xì)計劃還未出爐,但預(yù)計會超過70億美元,總投資將超過140億美元。

　　2012年,西安高新區(qū)成功引進(jìn)三星電子存儲芯片項目,生產(chǎn)“V-NAND”閃存芯片。一期項目于2014年5月竣工投產(chǎn)。“一期項目計劃投資70億美元,實際總投資超過了100億美元。”池賢基說。

　　據(jù)介紹,直接在中國生產(chǎn)“V-NAND”閃存芯片,將使三星更有效率地應(yīng)對市場的變化和顧客的需求。池賢基說,三星半導(dǎo)體繼續(xù)投建二期項目,表示他們對中國經(jīng)濟(jì)很有信心。